商品型号： CED6186
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY183477
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,28A,25mΩ@10V
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价格
1+
￥4.4944
10+
￥4.4127
30+
￥4.331
100+
￥4.2493
500+
￥4.1676
1000+
￥4.0838
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
CED6186由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CED6186价格参考￥4.494400。CET(华瑞)CED6186封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：28A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 19A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,28A,25mΩ@10V
手机版：CED6186
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