商品型号： FIR4N60BPG
制造厂商： 3PEAK
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.60g
商品编号： CY296687
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250A 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
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价格
1+
￥3.2553
10+
￥3.2146
30+
￥3.1739
100+
￥3.1332
500+
￥3.0888
1000+
￥3.0444
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 类型 | N沟道 |
FIR4N60BPG由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,FIR4N60BPG价格参考￥3.255300。3PEAKFIR4N60BPG封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250A 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：77W(Tc) 类型：N沟道 此商品当前暂未能提供产品规格书(PDF)。
手机版：FIR4N60BPG
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