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G48N03D3

商品型号: G48N03D3

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: DFN3*3-8L

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY276921

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

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G48N03D3由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G48N03D3价格参考¥4.344500。GOFORD(谷峰)G48N03D3封装/规格:DFN3*3-8L,连续漏极电流(Id)(25°C 时):48A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

手机版:G48N03D3