商品型号： CSD19501KCS
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.75g
商品编号： CY135024
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：217W(Tc) 类型：N沟道 CSD19501KCS 80V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD19501KCS
数量
价格
1+
￥6.3624
10+
￥6.2736
30+
￥6.1824
100+
￥6.0912
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 80V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD19501KCS由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD19501KCS价格参考￥6.362400。TI(德州仪器)CSD19501KCS封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：80V 栅源极阈值电压：3.2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.6mΩ @ 60A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：217W(Tc) 类型：N沟道 CSD19501KCS 80V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，CSD19501KCS
手机版：CSD19501KCS
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