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LSIC1MO120E0080

商品型号： LSIC1MO120E0080

制造厂商： IXYS

封装规格： TO-247-3

商品毛重： 8.13g

商品编号： CY169520

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：4V @ 10mA 漏源导通电阻：100mΩ @ 20A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	1200V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：4V @ 10mA 漏源导通电阻：100mΩ @ 20A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道

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LSIC1MO120E0080由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,LSIC1MO120E0080价格参考￥8.126000。IXYSLSIC1MO120E0080封装/规格：TO-247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：39A(Tc) 漏源电压（Vdss）：1200V 栅源极阈值电压：4V @ 10mA 漏源导通电阻：100mΩ @ 20A,20V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道

手机版：LSIC1MO120E0080