IPN70R1K4P7SATMA1

商品型号： IPN70R1K4P7SATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： PG-SOT223

商品毛重： 0.18g

商品编号： CY240991

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货8008(3000起订)

数量: X ￥9.241

总价: ￥9.24

包装:「圆盘 / 3000」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥9.241
10+

￥9.1824
30+

￥9.1216
100+

￥9.0608

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	700V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供IPN70R1K4P7SATMA1引脚图查看，IPN70R1K4P7SATMA1中文资料pdf下载，IPN70R1K4P7SATMA1使用说明书查看，IPN70R1K4P7SATMA1参数pdf下载, IPN70R1K4P7SATMA1工作原理，IPN70R1K4P7SATMA1驱动电路图，IPN70R1K4P7SATMA1数据手册，IPN70R1K4P7SATMA1如何测量, IPN70R1K4P7SATMA1接线图查看

IPN70R1K4P7SATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPN70R1K4P7SATMA1价格参考￥9.241000。Infineon(英飞凌)IPN70R1K4P7SATMA1封装/规格：PG-SOT223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：3.5V @ 40uA 漏源导通电阻：1.4Ω @ 700mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：6.2W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,10V,4A,1.4Ω@10V

手机版：IPN70R1K4P7SATMA1