商品型号: IPU95R3K7P7
制造厂商: Infineon(英飞凌)
封装规格: PG-TO251-3
商品毛重: 1.00g
商品编号: CY087250
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):950V 栅源极阈值电压:3.5V @ 40uA 漏源导通电阻:3.7Ohm @ 800mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):22W (Tc) 类型:N沟道
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
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商品目录 | MOS(场效应管) | |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2A | |
类型 | N沟道 |
IPU95R3K7P7由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPU95R3K7P7价格参考¥7.327600。Infineon(英飞凌)IPU95R3K7P7封装/规格:PG-TO251-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):950V 栅源极阈值电压:3.5V @ 40uA 漏源导通电阻:3.7Ohm @ 800mA, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):22W (Tc) 类型:N沟道
手机版:IPU95R3K7P7
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