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CS55N06A4

商品型号: CS55N06A4

制造厂商: 华润华晶

封装规格: TO-252-2

商品毛重: 0.46g

商品编号: CY308370

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69.5W(Tc) 类型:N沟道

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总   价: ¥8.24

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69.5W(Tc) 类型:N沟道

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CS55N06A4由华润华晶设计生产,在芯云购商城现货销售,CS55N06A4价格参考¥8.239600。华润华晶CS55N06A4封装/规格:TO-252-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):55A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:13mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69.5W(Tc) 类型:N沟道

手机版:CS55N06A4