商品型号： BSS139H6327
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： SOT-23(SOT-23-3)
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商品编号： CY707030
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：1V @ 56uA 漏源导通电阻：14Ω @ 100?A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道 N沟道,250V,100mA,14Ω@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 250V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 360mW | |
| 类型 | N沟道 |
BSS139H6327由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS139H6327价格参考￥4.307100。Infineon(英飞凌)BSS139H6327封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：250V 栅源极阈值电压：1V @ 56uA 漏源导通电阻：14Ω @ 100?A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：N沟道 N沟道,250V,100mA,14Ω@10V
手机版：BSS139H6327
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