商品型号： FHS130N10A
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-263
商品毛重： 1.63g
商品编号： CY253556
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.1883
10+
￥5.1586
30+
￥5.1289
100+
￥5.0992
500+
￥5.0669
1000+
￥5.0346
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封装： RD91
￥38.00
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封装： LQFP48
￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
FHS130N10A由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHS130N10A价格参考￥5.188300。FeiHong(飞虹)FHS130N10A封装/规格：TO-263,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：9mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FHS130N10A
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