商品型号： KIA6N70HU
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.59g
商品编号： CY939431
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，700V，5.8A
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￥6.3663
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500+
￥6.1835
1000+
￥6.0921
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￥15.00
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￥25.00
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￥25.00
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￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 700V | |
| 类型 | N沟道 |
KIA6N70HU由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA6N70HU价格参考￥6.549100。KIA 半导体KIA6N70HU封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：700V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.3Ω @ 2.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：95W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，700V，5.8A
手机版：KIA6N70HU
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