商品型号： KIA13N50HB
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 2.44g
商品编号： CY711388
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：195W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，500V，13A
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价格
1+
￥1.1269
10+
￥1.1069
30+
￥1.0869
100+
￥1.0669
500+
￥1.0446
1000+
￥1.0223
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
KIA13N50HB由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA13N50HB价格参考￥1.126900。KIA 半导体KIA13N50HB封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：480mΩ @ 6.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：195W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，500V，13A
手机版：KIA13N50HB
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