商品型号： IRF9Z30PBF
制造厂商： VISHAY(威世)
封装规格： TO-220(TO-220-3)
商品毛重： 2.50g
商品编号： CY467781
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 9.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W(Tc) 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥7.5139
10+
￥7.4305
30+
￥7.3444
100+
￥7.2583
500+
￥7.1722
1000+
￥7.0861
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 50V | |
| 类型 | P沟道 |
IRF9Z30PBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF9Z30PBF价格参考￥7.513900。VISHAY(威世)IRF9Z30PBF封装/规格：TO-220(TO-220-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：50V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 9.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：74W(Tc) 类型：P沟道
手机版：IRF9Z30PBF
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