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IRFR3710ZTRLPBF

商品型号： IRFR3710ZTRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 5.49g

商品编号： CY585466

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 42A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 42A

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IRFR3710ZTRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFR3710ZTRLPBF价格参考￥7.549600。Infineon(英飞凌)IRFR3710ZTRLPBF封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：42A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：18mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 42A

手机版：IRFR3710ZTRLPBF