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FCH25N60N

商品型号： FCH25N60N

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-247-3

商品毛重： 7.41g

商品编号： CY257976

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：126mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：216W 类型：N沟道 N沟道,600V,25A,126mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	25A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：126mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：216W 类型：N沟道 N沟道,600V,25A,126mΩ@10V

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FCH25N60N由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCH25N60N价格参考￥1.300200。ON(安森美)FCH25N60N封装/规格：TO-247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：126mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：216W 类型：N沟道 N沟道,600V,25A,126mΩ@10V

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