商品型号： IRF3415SPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-263-2
商品毛重： 2.04g
商品编号： CY017574
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V
数量
价格
1+
￥8.3388
10+
￥8.2541
30+
￥8.1694
100+
￥8.0847
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | |
| 类型 | N沟道 |
IRF3415SPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF3415SPBF价格参考￥8.338800。Infineon(英飞凌)IRF3415SPBF封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：43A(Tc) 漏源电压（Vdss）：150V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 22A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：200W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,150V,43A,0.042mΩ@10V
手机版：IRF3415SPBF
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