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IRL530NSTRLPBF

商品型号： IRL530NSTRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 2.03g

商品编号： CY737603

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,100V,17A,100mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,100V,17A,100mΩ@10V

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IRL530NSTRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRL530NSTRLPBF价格参考￥8.525600。Infineon(英飞凌)IRL530NSTRLPBF封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.8W 类型：N沟道 N沟道,100V,17A,100mΩ@10V

手机版：IRL530NSTRLPBF