商品型号： FHF12N65C
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 1.74g
商品编号： CY346001
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.1434
10+
￥4.1209
30+
￥4.0984
100+
￥4.0738
500+
￥4.0492
1000+
￥4.0246
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FHF12N65C由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHF12N65C价格参考￥4.143400。FeiHong(飞虹)FHF12N65C封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FHF12N65C
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