商品型号： FDPF18N50T
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.50g
商品编号： CY330903
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：265mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥9.1844
10+
￥9.1543
30+
￥9.1242
100+
￥9.0941
500+
￥9.064
1000+
￥9.032
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FDPF18N50T由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDPF18N50T价格参考￥9.184400。ON(安森美)FDPF18N50T封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：265mΩ @ 9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38.5W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FDPF18N50T
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