商品型号： FHP8N60A
制造厂商： FeiHong(飞虹)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.10g
商品编号： CY436735
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.3435
10+
￥1.2867
30+
￥1.2299
100+
￥1.1731
500+
￥1.1163
1000+
￥1.0595
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
FHP8N60A由FeiHong(飞虹)设计生产,在芯云购商城现货销售,FHP8N60A价格参考￥1.343500。FeiHong(飞虹)FHP8N60A封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.3Ω @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FHP8N60A
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