商品型号： FCPF650N80Z
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.10g
商品编号： CY121293
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 800uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30.5W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.399
10+
￥5.3347
30+
￥5.2704
100+
￥5.2028
500+
￥5.1352
1000+
￥5.0676
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 类型 | N沟道 |
FCPF650N80Z由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FCPF650N80Z价格参考￥5.399000。ON(安森美)FCPF650N80Z封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 800uA 漏源导通电阻：650mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30.5W(Tc) 类型：N沟道
手机版：FCPF650N80Z
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监