商品型号： KIA65R190FS
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.40g
商品编号： CY775955
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道 N沟道 20A 650V
数量
价格
1+
￥7.4252
10+
￥7.3546
30+
￥7.284
100+
￥7.2134
500+
￥7.1428
1000+
￥7.0722
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￥38.00
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￥15.00
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￥120.00
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 650V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | |
| 类型 | N沟道 |
KIA65R190FS由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KIA65R190FS价格参考￥7.425200。KIA 半导体KIA65R190FS封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：190mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道 N沟道 20A 650V
手机版：KIA65R190FS
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