商品型号: TK14G65W,RQ
制造厂商: TOSHIBA(东芝)
封装规格: TO-263-2
商品毛重: 2.20g
商品编号: CY013074
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 690uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | N沟道 |
TK14G65W,RQ由TOSHIBA(东芝)设计生产,在芯云购商城现货销售,TK14G65W,RQ价格参考¥5.465800。TOSHIBA(东芝)TK14G65W,RQ封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):13.7A 漏源电压(Vdss):650V 栅源极阈值电压:3.5V @ 690uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道
手机版:TK14G65W,RQ
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