商品型号： CED6426
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY273562
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W 类型：N沟道 N沟道,60V,16A,85mΩ@4.5V
数量
价格
1+
￥4.5619
10+
￥4.4705
30+
￥4.3764
100+
￥4.2823
500+
￥4.1882
1000+
￥4.0941
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 16A | |
| 类型 | N沟道 |
CED6426由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CED6426价格参考￥4.561900。CET(华瑞)CED6426封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：66mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W 类型：N沟道 N沟道,60V,16A,85mΩ@4.5V
手机版：CED6426
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监