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DMN61D8LQ-13

商品型号： DMN61D8LQ-13

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： SOT-23-3

商品毛重： 0.02g

商品编号： CY469308

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：470mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 150mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：390mW 类型：N沟道 N沟道，60V 470mA

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：470mA 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：1.8Ω @ 150mA,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：390mW 类型：N沟道 N沟道，60V 470mA

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