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NCV8440ASTT1G

商品型号： NCV8440ASTT1G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： SOT-223

商品毛重： 0.20g

商品编号： CY310321

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：59V 栅源极阈值电压：1.9V @ 100uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.69W 类型：N沟道 N沟道,59V,2.6A,110mΩ@2.6A,10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：59V 栅源极阈值电压：1.9V @ 100uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.69W 类型：N沟道 N沟道,59V,2.6A,110mΩ@2.6A,10V

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NCV8440ASTT1G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NCV8440ASTT1G价格参考￥1.050800。ON(安森美)NCV8440ASTT1G封装/规格：SOT-223,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 漏源电压（Vdss）：59V 栅源极阈值电压：1.9V @ 100uA 漏源导通电阻：110mΩ @ 2.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.69W 类型：N沟道 N沟道,59V,2.6A,110mΩ@2.6A,10V

手机版：NCV8440ASTT1G