商品型号： IXFN64N50P
制造厂商： IXYS
封装规格： SOT-227
商品毛重： 43.90g
商品编号： CY590224
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：61A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5.5V @ 8mA 漏源导通电阻：85mΩ @ 32A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.0374
30+
￥1.0187
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
IXFN64N50P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFN64N50P价格参考￥1.037400。IXYSIXFN64N50P封装/规格：SOT-227,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：61A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5.5V @ 8mA 漏源导通电阻：85mΩ @ 32A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：700W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXFN64N50P
20万现货SKU
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