商品型号： AF4N60S
制造厂商： AnBon 安邦
封装规格： ITO-220AB
商品毛重： 1.90g
商品编号： CY030435
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：106W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,4A,2.4Ω@10V
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价格
1+
￥3.3282
10+
￥3.2749
30+
￥3.2216
100+
￥3.1662
500+
￥3.1108
1000+
￥3.0554
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
AF4N60S由AnBon 安邦设计生产,在芯云购商城现货销售,AF4N60S价格参考￥3.328200。AnBon 安邦AF4N60S封装/规格：ITO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.4Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：106W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,4A,2.4Ω@10V
手机版：AF4N60S
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