商品型号： IRF1405ZPBF
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： TO-220AB
商品毛重： 2.90g
商品编号： CY859912
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道
数量
价格
1+
￥4.4621
10+
￥4.3878
30+
￥4.3107
100+
￥4.2336
500+
￥4.1565
1000+
￥4.0794
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | N沟道 |
IRF1405ZPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF1405ZPBF价格参考￥4.462100。Infineon(英飞凌)IRF1405ZPBF封装/规格：TO-220AB,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：75A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.9mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：230W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道
手机版：IRF1405ZPBF
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