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IXTQ50N25T

商品型号: IXTQ50N25T

制造厂商: IXYS

封装规格: TO-3P-3

商品毛重: 0.71g

商品编号: CY666547

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:5V @ 1mA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 250V
栅源极阈值电压 5V @ 1mA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:5V @ 1mA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道

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IXTQ50N25T由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTQ50N25T价格参考¥1.514600。IXYSIXTQ50N25T封装/规格:TO-3P-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:5V @ 1mA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道

手机版:IXTQ50N25T