商品型号: IXTQ50N25T
制造厂商: IXYS
封装规格: TO-3P-3
商品毛重: 0.71g
商品编号: CY666547
数据手册:
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:5V @ 1mA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道
数量
价格
1+
¥1.5146
10+
¥1.4298
30+
¥1.345
100+
¥1.2602
500+
¥1.1754
1000+
¥1.0877
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP48
¥15.00
品牌: IXYS
封装: TO-247
¥25.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: LQFP-176
¥120.00
品牌: ST(意法半导体)
封装: TO3P
¥25.00
品牌: FANHAR(浙江凡华)
封装: 20.2x10x15.5
¥15.00
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 250V | |
栅源极阈值电压 | 5V @ 1mA | |
类型 | N沟道 |
IXTQ50N25T由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTQ50N25T价格参考¥1.514600。IXYSIXTQ50N25T封装/规格:TO-3P-3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:5V @ 1mA 漏源导通电阻:60mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):400W(Tc) 类型:N沟道
手机版:IXTQ50N25T
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