商品型号： FQB6N80TM
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-263-3
商品毛重： 1.64g
商品编号： CY718667
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.95Ω @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥5.3998
10+
￥5.3341
30+
￥5.2684
100+
￥5.2027
500+
￥5.137
1000+
￥5.0685
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FQB6N80TM由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQB6N80TM价格参考￥5.399800。ON(安森美)FQB6N80TM封装/规格：TO-263-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.8A 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：1.95Ω @ 2.9A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.13W 类型：N沟道
手机版：FQB6N80TM
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