商品型号： G1002L
制造厂商： GOFORD(谷峰)
封装规格： SOT-23-3L
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY784653
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,2A,180mΩ@10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | |
| 类型 | N沟道 |
G1002L由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,G1002L价格参考￥1.105800。GOFORD(谷峰)G1002L封装/规格：SOT-23-3L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：250mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.1W 类型：N沟道 N沟道,100V,2A,180mΩ@10V
手机版：G1002L
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