商品型号： CED83A3G
制造厂商： CET(华瑞)
封装规格： TO-251(I-PAK)
商品毛重： 0.63g
商品编号： CY083104
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：93A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,93A
数量
价格
1+
￥4.5276
10+
￥4.4404
30+
￥4.3532
100+
￥4.266
500+
￥4.1788
1000+
￥4.0894
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￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
CED83A3G由CET(华瑞)设计生产,在芯云购商城现货销售,CED83A3G价格参考￥4.527600。CET(华瑞)CED83A3G封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：93A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：4.2mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：75W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,30V,93A
手机版：CED83A3G
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