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PSMN4R0-60YS,115

商品型号: PSMN4R0-60YS,115

制造厂商: Nexperia(安世)

封装规格: LFPAK56

商品毛重: 0.13g

商品编号: CY553467

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥5.55

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道

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PSMN4R0-60YS,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PSMN4R0-60YS,115价格参考¥5.546800。Nexperia(安世)PSMN4R0-60YS,115封装/规格:LFPAK56,连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 1mA 漏源导通电阻:4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):130W(Tc) 类型:N沟道

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