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UT3N06L-TM3-T

商品型号： UT3N06L-TM3-T

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-251(I-PAK)

商品毛重： 0.60g

商品编号： CY321319

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.13W 类型：N沟道 N沟道,60V,3A,120mΩ@4.5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	3A
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.13W 类型：N沟道 N沟道,60V,3A,120mΩ@4.5V

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UT3N06L-TM3-T由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UT3N06L-TM3-T价格参考￥5.032800。3PEAKUT3N06L-TM3-T封装/规格：TO-251(I-PAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.13W 类型：N沟道 N沟道,60V,3A,120mΩ@4.5V

手机版：UT3N06L-TM3-T