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HA210N06

商品型号： HA210N06

制造厂商： HL(豪林)

封装规格： TO-3P

商品毛重： 7.16g

商品编号： CY305988

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,210A,4mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,210A,4mΩ@10V

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HA210N06由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HA210N06价格参考￥1.123600。HL(豪林)HA210N06封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：210A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 75A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：220W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,60V,210A,4mΩ@10V

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