商品型号： NDF04N60ZH
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220F(TO-220IS)
商品毛重： 2.89g
商品编号： CY994825
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥7.1936
10+
￥7.164
30+
￥7.1312
100+
￥7.0984
500+
￥7.0656
1000+
￥7.0328
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | |
| 类型 | N沟道 |
NDF04N60ZH由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NDF04N60ZH价格参考￥7.193600。ON(安森美)NDF04N60ZH封装/规格：TO-220F(TO-220IS),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.8A(Tc) 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 50uA 漏源导通电阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：30W(Tc) 类型：N沟道
手机版：NDF04N60ZH
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