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IXTQ36N50P

商品型号: IXTQ36N50P

制造厂商: IXYS

封装规格: TO-3P

商品毛重: 8.00g

商品编号: CY483108

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):540W(Tc) 类型:N沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 500V
栅源极阈值电压 5V @ 250uA
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):540W(Tc) 类型:N沟道

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IXTQ36N50P由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXTQ36N50P价格参考¥5.170400。IXYSIXTQ36N50P封装/规格:TO-3P,连续漏极电流(Id)(25°C 时):36A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:170mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):540W(Tc) 类型:N沟道

手机版:IXTQ36N50P