商品型号： FDH047AN08A0
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-247-3
商品毛重： 3.98g
商品编号： CY211590
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道 N沟道,75V,80A,4.7mΩ@10V
数量
价格
1+
￥3.2024
10+
￥3.1518
30+
￥3.1012
100+
￥3.0506
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 75V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 80A | |
| 类型 | N沟道 |
FDH047AN08A0由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDH047AN08A0价格参考￥3.202400。ON(安森美)FDH047AN08A0封装/规格：TO-247-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：75V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：4.7mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：310W 类型：N沟道 N沟道,75V,80A,4.7mΩ@10V
手机版：FDH047AN08A0
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