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IRF6674TRPBF

商品型号： IRF6674TRPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： DIRECTFET

商品毛重： 0.30g

商品编号： CY373962

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13.4A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.9V @ 100uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 13.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道,60V,13.4A,11mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13.4A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.9V @ 100uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 13.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道,60V,13.4A,11mΩ@10V

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IRF6674TRPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRF6674TRPBF价格参考￥4.389700。Infineon(英飞凌)IRF6674TRPBF封装/规格：DIRECTFET,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：13.4A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4.9V @ 100uA 漏源导通电阻：11mΩ @ 13.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.6W 类型：N沟道 N沟道,60V,13.4A,11mΩ@10V

手机版：IRF6674TRPBF