商品型号： CSD18563Q5AT
制造厂商： TI(德州仪器)
封装规格： VSONP-8
商品毛重： 0.37g
商品编号： CY251524
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD18563Q5A 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A | |
| 类型 | N沟道 |
CSD18563Q5AT由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD18563Q5AT价格参考￥3.362400。TI(德州仪器)CSD18563Q5AT封装/规格：VSONP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.4V @ 250uA 漏源导通电阻：6.8mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD18563Q5A 60-V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18563Q5A
手机版：CSD18563Q5AT
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