商品型号： IRLD014PBF
制造厂商： VISHAY(威世)
封装规格： HVMDIP
商品毛重： 0.66g
商品编号： CY797807
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.375
10+
￥3.2844
30+
￥3.1896
100+
￥3.0948
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.7A | |
| 类型 | N沟道 |
IRLD014PBF由VISHAY(威世)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRLD014PBF价格参考￥3.375000。VISHAY(威世)IRLD014PBF封装/规格：HVMDIP,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.7A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：200mΩ @ 1A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.3W 类型：N沟道
手机版：IRLD014PBF
20万现货SKU
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