商品型号： FDMD8530
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： Power_5*6
商品毛重： 0.12g
商品编号： CY004242
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：双N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 35A | |
| 类型 | 双N沟道 |
FDMD8530由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDMD8530价格参考￥9.056600。ON(安森美)FDMD8530封装/规格：Power_5*6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：1.25mΩ @ 35A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.2W 类型：双N沟道
手机版：FDMD8530
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