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NTB45N06LT4G

商品型号: NTB45N06LT4G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: D2PAK

商品毛重: 1.63g

商品编号: CY686384

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 22.5A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道

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总   价: ¥3.07

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 45A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 22.5A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道

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NTB45N06LT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB45N06LT4G价格参考¥3.068800。ON(安森美)NTB45N06LT4G封装/规格:D2PAK,连续漏极电流(Id)(25°C 时):45A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 22.5A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.4W 类型:N沟道

手机版:NTB45N06LT4G