商品型号： FQU3N50CTU
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-251-3
商品毛重： 0.68g
商品编号： CY661306
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 1.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.119
10+
￥3.0909
30+
￥3.0606
100+
￥3.0303
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W | |
| 类型 | N沟道 |
FQU3N50CTU由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FQU3N50CTU价格参考￥3.119000。ON(安森美)FQU3N50CTU封装/规格：TO-251-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 1.25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W 类型：N沟道
手机版：FQU3N50CTU
20万现货SKU
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