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20N06-252 停产

商品型号: 20N06-252

制造厂商: GOFORD(谷峰)

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.38g

商品编号: CY070217

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V,20A,80mΩ@4.5V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V,20A,80mΩ@4.5V

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20N06-252由GOFORD(谷峰)设计生产,在芯云购商城现货销售,20N06-252价格参考¥4.227800。GOFORD(谷峰)20N06-252封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 60V,20A,80mΩ@4.5V

手机版:20N06-252