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NVD5C632NLT4G

商品型号： NVD5C632NLT4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： DPAK

商品毛重： 0.38g

商品编号： CY055509

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.1V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：N沟道 N沟道 60V 3.4mΩ@4.5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
最大功率耗散（Ta=25°C）	4W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.1V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：N沟道 N沟道 60V 3.4mΩ@4.5V

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NVD5C632NLT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NVD5C632NLT4G价格参考￥4.340500。ON(安森美)NVD5C632NLT4G封装/规格：DPAK,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.1V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：4W 类型：N沟道 N沟道 60V 3.4mΩ@4.5V

手机版：NVD5C632NLT4G