商品型号： PTA15N50
制造厂商： PIP(丽隽)
封装规格： TO-220F
商品毛重： 2.95g
商品编号： CY645328
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
数量
价格
1+
￥5.5859
10+
￥5.4899
30+
￥5.3928
100+
￥5.2957
500+
￥5.1986
1000+
￥5.0993
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
PTA15N50由PIP(丽隽)设计生产,在芯云购商城现货销售,PTA15N50价格参考￥5.585900。PIP(丽隽)PTA15N50封装/规格：TO-220F,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道
手机版：PTA15N50
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