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CSD87335Q3DT

商品型号： CSD87335Q3DT

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： LSON-8

商品毛重： 0.34g

商品编号： CY801339

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：6W 类型：双N沟道 CSD87335Q3D CSD87335Q3D 同步降压 NexFET? 电源块

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	25A
漏源导通电阻	-
最大功率耗散（Ta=25°C）	6W
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：6W 类型：双N沟道 CSD87335Q3D CSD87335Q3D 同步降压 NexFET? 电源块

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CSD87335Q3DT由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD87335Q3DT价格参考￥3.072200。TI(德州仪器)CSD87335Q3DT封装/规格：LSON-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：25A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.9V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：6W 类型：双N沟道 CSD87335Q3D CSD87335Q3D 同步降压 NexFET? 电源块

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