商品型号： FDP22N50N
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： TO-220
商品毛重： 2.87g
商品编号： CY246631
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：220mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312.5W 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.1568
10+
￥2.1176
30+
￥2.0784
100+
￥2.0392
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 22A | |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | |
| 类型 | N沟道 |
FDP22N50N由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDP22N50N价格参考￥2.156800。ON(安森美)FDP22N50N封装/规格：TO-220,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：22A 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：220mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：312.5W 类型：N沟道
手机版：FDP22N50N
20万现货SKU
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